GD5F4GQ6UE

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性能参数

Flash类型

SPI NAND (Auto)

状态

电压

2.7V~3.6V

容量

4Gb

I/O总线

x1,x2,x4

频率

104MHZ

页面大小

2KB

ECC要求

ECC-free

主要特性

DTR

封装

WSON8 8x6mm

温度

-40℃~105℃

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名称

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发布时间
- GD5F4GQ6UE
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